Снято с производства (Снято с производства) ST0149 Целлулозный оксид (HfO2) для магнитно-распылительной обработки

Описание мишени для распыления оксида гафния (HfO2)

Мишень для распыления оксида гафния (HfO2) представляет собой высококачественный материал, разработанный для процессов точного распыления. Изготовленная с использованием премиальных исходных материалов и современных технологий, эта мишень обеспечивает высокие эксплуатационные характеристики в критических микроэлектронных процессах, что гарантирует постоянную скорость осаждения и равномерность пленки. Ее отличная термическая стабильность и диэлектрические свойства делают ее незаменимой в производстве микроэлектронных устройств и изоляционных слоев.

Применение мишени для распыления оксида гафния (HfO2)

· Микроэлектроника: Необходима для осаждения диэлектрических слоев с высокой константой диэлектрика в полупроводниковых устройствах.
· Поверхностные покрытия: Используется в современном поверхностном инженерии для повышения устойчивости к износу и защитных покрытий.
· Оптоэлектроника: Подходит для изготовления изоляционных компонентов в LED- и дисплейных технологиях.
· Научные исследования и разработки: Идеальна для экспериментов и разработки прототипов в лабораториях материаловедения.

Упаковка мишени для распыления оксида гафния (HfO2)

Наши мишени для распыления оксида гафния упакованы с максимальной осторожностью для сохранения целостности продукта во время обращения и транспортировки.
· Упаковка обычно вакуумная с возможностью индивидуального веса и больших упаковок в соответствии со спецификациями клиента.

Часто задаваемые вопросы

В1. Что такое оксид гафния (HfO₂)?

Оксид гафния (HfO₂) — это высокопроизводительный керамический материал с отличными диэлектрическими свойствами. Он широко используется в тонкопленочных применениях благодаря высокой диэлектрической постоянной, высокой термической стабильности и устойчивости к пробою при высоком напряжении. Обычно используется в полупроводниковой и электронной промышленности, особенно в приложениях с высококонстантными диэлектриками.

В2. Каковы применения мишеней для распыления оксида гафния (HfO₂)?

Мишени для распыления оксида гафния в первую очередь используются для осаждения тонких пленок HfO₂ в различных приложениях, таких как:

Высококонстантные диэлектрические материалы в полупроводниковых устройствах (используются как диэлектрики затворов в MOSFET).

Оптические покрытия, такие как зеркала и антибликовые покрытия.

Конденсаторы и изоляторы в интегрированных схемах.

Запоминающие устройства, включая DRAM и приложения с неэлектрической памятью.

Микроэлектроника для производства современных транзисторных технологий.

В3. Каковы ключевые преимущества пленок оксида гафния (HfO₂)?

Высокая диэлектрическая постоянная (значение k): HfO₂ имеет высокую диэлектрическую постоянную, что делает его подходящим для миниатюризированных электронных устройств.

Термическая стабильность: HfO₂ стабилен при высоких температурах, что идеально для применений в суровых условиях или процессах при высокой температуре.

Свойства диэлектриков затворов: Обеспечивает низкие токи утечки, что необходимо для транзисторов в современных технологиях CMOS (комплементарные металлооксидные полупроводники).

Устойчивость в запоминающих устройствах: HfO₂ используется в запоминающей памяти с резистивным переключением (RRAM) и других технологиях неэлектрической памяти.