VD0860 Материалы для испарения теллурида галлия (GaTe)

Описание материалов для испарения теллурида галлия(II)

Изучите высококачественные испарительные материалы из теллурида галлия(II), предлагаемые Stanford Advanced Materials. Этот керамический испарительный материал имеет химическую формулу GaTe. Эти высокочистые испарительные материалы GaTe играют важную роль в процессах осаждения, обеспечивая получение высококачественных осажденных пленок. Stanford Advanced Materials (SAM) специализируется на производстве испарительных материалов с уровнем чистоты до 99,9995 %, применяя процессы контроля качества для обеспечения надежности продукции.

Спецификация испарительных материалов на основе теллурида галлия(II)

Применение материалов для испарения теллурида галлия(II)

Материалы для испарения теллурида галлия(II) находят широкое применение в различных процессах осаждения, включая осаждение полупроводников, химическое осаждение из паровой фазы (CVD) и физическое осаждение из паровой фазы (PVD). В основном они используются в оптике для защиты от износа, декоративных покрытий и дисплеев.

Упаковка материалов для испарения теллурида галлия(II)

Наши гранулы для испарения теллурида галлия(II) тщательно упаковываются в пластиковый вакуумный пакет для предотвращения повреждений при хранении и транспортировке, обеспечивая качество продукции в ее первоначальном состоянии. Кроме того, в упаковку включен сертификат анализа (COA) сырья.

Получить контакт

Stanford Advanced Materials (SAM) специализируется на производстве высокочистых материалов для испарения теллурида галлия(II) исключительного качества, пригодных для использования в полупроводниках, дисплеях с химическим осаждением из паровой фазы (CVD), физическим осаждением из паровой фазы (PVD) и оптических приложениях. Наши инженерные, производственные и аналитические команды работают слаженно, что позволяет нам поставлять лучшие в отрасли испарительные материалы.