Описание кристаллических подложек галлата лития (LiGaO2)
Галлат лития (LiGaO2) - широкозонный полупроводник с оптической щелью более 5,3 эВ. При сплавлении с ZnO этот материал обеспечивает широкую функциональность для оптических устройств, генерирующих, детектирующих и обрабатывающих свет в большей части ультрафиолетовой области спектра.

Технические характеристики кристаллических подложек галлата лития (LiGaO2)
Подложка
|
Подложка LiGaO2
|
Метод выращивания
|
Метод Чохральского
|
Структура кристалла
|
Ортогональная система
|
Постоянная решетки
|
a=5.406 Å b=5.012 Å c=6.379 Å
|
Температура плавления:
|
1600 °C
|
Плотность:
|
4,18 г/см3
|
Твердость по Моосу
|
7.5
|
Ориентация
|
<100>, <001>
|
Стандартный размер
|
Dia30 x 0.5 мм, 20x20x0.5 мм, 10x10x0.5 мм, 5x5x0.5 мм
|
Полировка
|
Тонкая шлифовка, полировка с одной стороны или полировка с двух сторон
|
Применение кристаллических подложек галлата лития (LiGaO2)
Монокристаллы галлата лития (LiGaO2) и алюмината лития (LiAlO2) являются лучшими материалами подложек для совмещения с эпитаксиальными пленками GaN. Пленки GaN являются основой для современного производства синих, фиолетовых, ультрафиолетовых светоизлучающих диодов и твердотельных источников белого света.
Упаковка подложек для кристаллов галлата лития (LiGaO2)
Кристаллические подложки галлата лития (LiGaO2) тщательно упакованы с использованием антистатических защитных слоев, влагостойкой герметизации и амортизирующих материалов для обеспечения безопасной транспортировки и хранения. Каждая упаковка включает подробную маркировку и документацию, соответствующую международным стандартам транспортировки.
Вопросы и ответы
Q1. В чем заключаются ключевые преимущества подложек для кристаллов LiGaO2?
Подложки LiGaO2 отличаются высокой термической стабильностью, низким рассогласованием решеток для эпитаксиального роста и отличной прозрачностью в ультрафиолетовом и видимом спектре, что делает их идеальными для передовых электронных и оптических приложений.
Q2. Подходят ли литий-галлатные подложки для эпитаксиального роста?
Да, подложки LiGaO2 очень хорошо подходят для эпитаксиального роста, особенно для таких материалов, как GaN, благодаря низкому рассогласованию решеток и термической совместимости.
Q3. Чем галлат лития отличается от других материалов подложек, таких как сапфир или GaN?
Галлат лития обладает уникальными свойствами, такими как низкое рассогласование решетки с GaN, что делает его отличной альтернативой для конкретных применений, где термическая и структурная совместимость имеют решающее значение.