CY2427 Кристаллические подложки из диоксида кремния (кварц SiO2)

Каталог нет.	CY2427
Размер	10x10x1,0 мм; 10x5x1,0 мм
Материал	SiO2 (кварц)
Ориентация	(100)(101)

Разнообразные размеры монокристаллических подложек диоксида кремния SiO2 (кварц) могут быть предложены Stanford Advanced Materials (SAM). У нас есть профессиональная команда продаж, чтобы предложить быстрый ответ в течение 24 часов и теплое обслуживание.

Сопутствующие товары: Кристаллическая подложка LiAlO2, Кристаллическая подложка LAST, Кристаллическая подложка LiF, Кристаллическая подложка NdGaO3, Монокристаллическая подложка антимонида галлия.

Запрос

Описание

Технические характеристики

ПОСЛЕДНЯЯ РЕКОМЕНДАЦИЯ

GA2171 Пластина из арсенида галлия (GaAs)

NR2172 Пластина из нитрида галлия

Сапфировая пластина CY2173

Кремниевая пластина CY2174

Пластина из карбида кремния CY2175

GA2268 Пластина из галлиевой сурьмы (GaSb)

GA2269 Пластины из фосфида галлия (GaP)

IN2270 Пластина из антимонида индия

IN2271 Пластина из арсенида индия

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНУ

Отправьте нам запрос сегодня, чтобы узнать больше и получить актуальные цены. Спасибо!

* Ваше имя

* Ваш e-mail

Для оперативной обработки просьба использовать адрес электронной почты вашей компании.

* Название продукта

* Ваш телефон

* Страна

Россия

Комментарии

Приложите чертежи:

Храните файлы здесь или

Принимаются файлы в форматах PDF, png, jpg, jpeg; если загружается сразу несколько файлов, каждый из них должен быть меньше 2 МБ.

* Проверочный код

Чистота	Оптический класс: 99,99%
Кристаллическая структура	Гексагональная a = 4,914 Å c = 5,405 Å
Твердость	7,0 Мооса
Плотность	2,684 ^г/см3
Температура расплава	1610 градусов Цельсия (точка фазового перехода: 573,1 °C)
Термоэлектрическая постоянная	1200 мВ / °C при 300 °C
Теплопроводность	0,0033 кал/см/ °C
Коэффициент теплового расширения, (CTE) (x10^-6/ K)	перпендикулярно: 13.71 параллельно: 7.48
Показатель преломления	1.544

Чистота	Оптический класс: 99,99%
Кристаллическая структура	Гексагональная a= 4.914 Å c = 5.405 Å
Твердость	7,0 Мооса
Плотность	2,684 ^г/см3
Температура расплава	1610 градусов Цельсия (точка фазового перехода: 573,1 °C)
Термоэлектрическая постоянная	1200 мВ / °C при 300 °C
Теплопроводность	0,0033 кал/см/ °C
Коэффициент теплового расширения, (CTE) (x10^-6/ K)	перпендикулярно: 13.71 параллельно: 7.48
Показатель преломления	1.544

CY2427 Кристаллические подложки из диоксида кремния (кварц SiO2)

Диоксид кремния (кварц SiO2) кристаллические подложки описание

Технические характеристики кристаллических подложек диоксида кремния (кварц SiO2)

Применение подложек из кристаллов диоксида кремния (кварца SiO2)

Технические характеристики

SDS

ПОСЛЕДНЯЯ РЕКОМЕНДАЦИЯ

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНУ

НУЖНА ПОМОЩЬ?

НАША КОМПАНИЯ

ПОПУЛЯРНЫЕ КАТЕГОРИИ