Основные электронные материалы: Часть 3 - Германий

1 Введение

Германий (Ge) - полупроводниковый материал с уникальными физическими и электрическими свойствами, что делает его ценным компонентом в различных высокотехнологичных приложениях. Имея атомный номер 32 и плотность 5,323 г/см³, германий обладает алмазоподобной кристаллической структурой, которая позволяет ему демонстрировать отличную электропроводность при низких температурах благодаря малому зазору 0,66 эВ. Это свойство делает его превосходным материалом для низкотемпературной электроники и инфракрасной оптоэлектроники, включая волоконно-оптическую связь и инфракрасные детекторы. Несмотря на то, что в большинстве полупроводниковых технологий германий уступает место кремнию (Si), он по-прежнему играет важную роль в высокочастотной и высокоскоростной электронике, солнечных батареях и квантовых вычислениях. Его способность интегрироваться с кремнием также открывает возможности для передовых технологий интегральных схем. Однако такие проблемы, как низкая теплопроводность, более высокая стоимость и трудности с крупномасштабным выращиванием кристаллов, ограничивают его широкое применение, особенно по сравнению с кремнием, который доминирует в полупроводниковой промышленности.

Рис. 1 Монокристалл германия

2 Основные свойства германия

Германий (Germanium) - химический элемент с атомным номером 32 и атомным весом 72,64. В Периодической таблице элементов он находится в 4-м периоде и группе IVA. В природе германий имеет пять стабильных изотопов: 70Ge, 72Ge, 73Ge, 74Ge, 76Ge. При температуре выше 700°C германий реагирует с кислородом, образуя GeO2_22, а выше 1000°C - с водородом. Мелкодисперсный порошок германия может гореть в хлоре или броме. Германий - превосходный полупроводник, широко используемый в качестве детектора высокочастотного тока и выпрямителя переменного тока. Кроме того, он используется в инфракрасных оптических материалах, точных приборах и в качестве катализатора. Из соединений германия можно изготавливать флуоресцентные панели и различные стекла с высоким коэффициентом преломления. В периодической таблице германий входит в одну группу с оловом и свинцом, которые были обнаружены и использованы древними цивилизациями. Однако долгое время германий не добывался в промышленных масштабах. Это объясняется не тем, что содержание германия в земной коре невелико, а тем, что он является одним из самых рассеянных элементов в земной коре, и германийсодержащие руды встречаются редко.

Германий (Ge) обладает уникальными физическими свойствами. Его кристаллическая структура имеет ромбовидную форму, при этом каждый атом германия соединен с четырьмя соседними атомами ковалентными связями, образуя тетраэдрическую структуру. Плотность германия составляет 5,323 г/см³, температура плавления - 937,4°C, температура кипения - 2833°C, а теплопроводность - около 60 Вт/(м-К), что является низким показателем по сравнению с металлическими материалами. Как полупроводник, германий обладает высокой проводимостью при комнатной температуре (около 1,6 × 10³ С/м) и шириной полосы пропускания 0,66 эВ, что обеспечивает ему лучшую проводимость, чем у кремния (Si) при низких температурах, но худшие характеристики при высоких температурах. Свойство прямой полосы пропускания германия делает его превосходным в инфракрасных оптоэлектронных приложениях, чувствительным к инфракрасному свету с длиной волны 1,55 мкм, и поэтому широко используется в волоконно-оптической связи, инфракрасных детекторах и других областях. Хотя германий химически стабилен при комнатной температуре, он может сильно пострадать при высоких температурах. Его хрупкость высока, а твердость составляет 6,0 единиц по шкале Мооса, что ограничивает его применение при некоторых высоких требованиях к механической прочности. Хотя большинство современных электронных устройств изготавливаются на основе кремния, германий по-прежнему находит широкое применение в высокоскоростной электронике и инфракрасной технике, особенно при низких температурах и высоких частотах.

Таблица 1 Физические свойства германия

3 Процессы изготовления германия

3.1 Метод Чохральского

Метод Чохральского - это распространенная технология выращивания монокристаллов, широко используемая для получения различных типов полупроводниковых монокристаллов, в том числе и монокристаллов германия. Метод прямого вытягивания используется для получения высококачественных монокристаллов германия большого размера путем вытягивания жидких кристаллов германия или сплавов германия в расплавленном состоянии из расплавленного бассейна, их постепенного охлаждения и кристаллизации, и в конечном итоге получения высококачественных монокристаллов германия большого размера. Этот метод широко используется в полупроводниковой промышленности, особенно при подготовке германиевых материалов, поскольку он позволяет получать монокристаллы высокой чистоты с низким уровнем дефектов.

В качестве сырья обычно используется высокочистый германий (Ge), а в качестве источника раствора - сплавы германия (например, сплавы германия и кремния). Высокочистый германий обычно имеет чистоту 99,999% или выше. Для нагрева германия по методу Чохральского обычно используется индукционная нагревательная печь или другой тип высокотемпературной печи. Внутри печи расплавленный германий находится в сосуде, изготовленном из жаропрочных материалов, таких как кварц или платина, чтобы предотвратить химические реакции с германием. Температура плавления германия составляет 937,4°C, поэтому температура расплава должна быть немного выше этого значения, обычно между 1050°C и 1150°C. Это гарантирует, что германий останется в жидком состоянии. Это позволяет германию оставаться в жидком состоянии и облегчает рост кристаллов.

Германиевое сырье сначала помещают в печь и индуктивно нагревают, чтобы расплавить его до жидкого состояния. Необходимо следить за тем, чтобы расплав оставался однородным, чтобы избежать появления примесей и пузырьков.

Кристаллическая затравка - это исходный монокристалл, используемый для направления роста кристалла. В методе Чохральского в качестве материала для затравки обычно используются монокристаллические пластины чистого германия. В качестве затравки выбираются монокристаллические пластины германия с высоким качеством и идеальной решеткой. Кристаллическая ориентация затравки должна быть такой же, как и у целевого монокристалла, обычно это <100> или <111> кристаллическая плоскость германия. Кристаллическая затравка погружается вертикально в поверхность расплавленного германия, и рост кристалла начинается при температуре расплавленного бассейна. При контакте затравки с расплавом атомы германия в расплаве постепенно присоединяются к поверхности затравки, образуя монокристаллическую структуру.

На поверхности контакта кристаллической затравки с расплавом начинается рост кристаллов наружу. Медленно и неуклонно затравку вытягивают вертикально из бассейна расплава, контролируя температуру и скорость вытягивания для обеспечения равномерного роста кристаллов. Скорость вытягивания обычно находится в диапазоне 0,5-2 мм/мин. Слишком высокая скорость вытягивания может привести к дефектам кристалла, а слишком низкая - к образованию кристаллов больших размеров, которые трудно контролировать. Для обеспечения качества и структуры монокристаллов германия необходимо точно контролировать температурный градиент. Как правило, температура снижается по мере извлечения кристаллов из расплава, и скорость роста кристаллов соответственно замедляется. Направление и размер роста кристаллов можно контролировать, регулируя температуру в верхней зоне охлаждения. Чтобы избежать окисления германия при высоких температурах, процесс роста обычно проводится в вакууме или в атмосфере инертного газа (например, аргона).

Под руководством кристаллической затравки монокристаллы германия постепенно растут, образуя крупные монокристаллы. По мере роста монокристалл германия постепенно увеличивается в диаметре и длине. Метод прямой вытяжки позволяет получать крупные монокристаллы германия диаметром от нескольких миллиметров до нескольких дюймов. Когда монокристалл германия вырастет до нужного размера, он начнет медленно остывать. Процесс охлаждения требует строгого контроля температуры, чтобы избежать перепада температурных напряжений или термических трещин в кристалле. Для постепенного перевода кристалла из области высоких температур в область комнатных температур часто используется прогрессивное охлаждение, что обеспечивает контролируемое охлаждение и снижает риск возникновения структурных дефектов.

Монокристаллы германия, приготовленные по методу Чохральского, обычно имеют низкую плотность дефектов, полную кристаллическую структуру и низкое содержание примесей. В процессе роста могут появляться некоторые дефекты решетки, такие как дислокации, микротрещины и т.д., что обычно требует проверки качества с помощью рентгеновской дифракции, оптической микроскопии или электронной микроскопии. Электрические (например, концентрация носителей, подвижность и т.д.) и оптические (например, пропускание, коэффициент поглощения и т.д.) свойства монокристаллов германия также являются важными показателями для оценки их качества.

После того как монокристалл германия охлажден и достиг заданного размера, его можно разрезать на желаемые листы или другие формы. Обычные методы обработки включают резку, полировку и легирование. В некоторых случаях монокристаллы германия необходимо легировать определенными элементами (например, фосфором, бором), чтобы изменить их электрические свойства. Легирование обычно осуществляется путем диффузии или добавления легирующего элемента после процесса роста кристалла.

Рис. 2 Принцип метода Чохральского

3.2 Метод вертикального градиентного замораживания

Метод вертикального градиентного замораживания (VGF-метод) широко используется для получения высокочистых монокристаллов и особенно подходит для выращивания полупроводниковых материалов, таких как монокристаллы германия. В отличие от метода Чохральского, метод вертикального градиентного замораживания позволяет выращивать монокристаллы, контролируя градиент температуры, что имеет уникальные преимущества при получении высококачественных полупроводниковых материалов с низким уровнем дефектов.

Метод вертикального градиента - это технология, использующая градиент температуры для стимулирования роста кристаллов. Основной принцип заключается в контроле области перехода материала из жидкого состояния в твердое путем помещения расплавленного полупроводникового материала в область с большим градиентом температуры и использования этой разницы температур для контроля направления и процесса роста кристаллов. Как правило, расплав образует вертикальный температурный градиент сверху вниз, в результате чего в верхней части расплава температура выше, а в нижней - ниже. Ключевым моментом метода VGF является то, что благодаря точному управлению температурным градиентом расплава, расплав застывает постепенно, начиная с нижней части, и может образовать монокристаллическую структуру, свободную от дефектов или с низким уровнем дефектов.

Проведение метода вертикального градиента для получения высокочистого германия требует сначала подготовки расплава. Германий высокой чистоты помещают в специальный тигель, который обычно изготавливают из высокотемпературного кварца или платины. Материал, находящийся в тигле, нагревают выше температуры плавления и поддерживают в жидком состоянии. После этого в оборудовании создается вертикально ориентированный температурный градиент путем регулирования температуры над и под расплавом. Как правило, нижняя часть расплава поддерживается при более низкой температуре (близкой к температуре плавления), а верхняя - при более высокой. Благодаря такому температурному градиенту материал постепенно затвердевает сверху вниз. Величина и направление температурного градиента являются критическими и определяют скорость роста кристаллов, размер зерен и качество монокристаллов.

В области охлаждения расплава кристаллическая затравка обычно помещается в зону с более низкой температурой (т.е. в нижнюю часть расплава). При постепенном снижении температуры расплав застывает, а затравка начинает контактировать с расплавом и направляет рост кристаллов. По мере снижения температуры кристаллы начинают расти вверх от затравки, пока весь расплав в тигле постепенно не затвердеет в монокристаллическую структуру. В методе VGF скорость роста кристаллов контролируется путем регулирования скорости охлаждения (т.е. градиента температуры). Скорость роста обычно медленная, чтобы обеспечить постепенный рост кристаллов с малым количеством дефектов. Контроль скорости роста кристаллов помогает минимизировать дефекты и улучшить качество кристаллов. В некоторых случаях слишком быстрый рост может привести к образованию дислокаций или других дефектов в кристалле.

После завершения роста кристаллов температуру постепенно снижают, чтобы обеспечить стабильность всего процесса. Кристаллы постепенно затвердевают из расплава в монокристаллы, а охлаждение также требует медленного снижения температуры, чтобы избежать появления напряжений и трещин из-за резкого изменения температуры.

Метод VGF обладает рядом уникальных преимуществ, которые позволяют получать очень качественные монокристаллы, особенно с точки зрения низкой плотности дефектов и меньшего количества искажений кристаллической решетки. Благодаря более стабильному температурному градиенту во время роста кристаллов можно эффективно избежать появления в них чрезмерных дислокаций или других дефектов решетки. Поскольку метод обладает высокой точностью контроля в процессе роста и может эффективно удалять некоторые примеси, метод VGF особенно подходит для производства высокочистых полупроводниковых материалов, особенно в оптоэлектронных устройствах, а также для более широкого использования в высокочастотных устройствах. По сравнению с методом Чохральского, в методе VGF обычно используется более низкая скорость роста кристаллов, что помогает получить более однородную кристаллическую структуру и уменьшить генерацию внутренних напряжений, тем самым улучшая общие характеристики монокристаллов. Кроме того, метод VGF не требует растяжения кристаллов, что позволяет избежать проблем разрыва кристаллов и неравномерного роста, которые могут возникнуть в процессе растяжения, и особенно подходит для получения некоторых хрупких материалов. С помощью метода VGF можно легче получить монокристаллические материалы большого размера и высокого качества, что очень важно для некоторых видов высокотехнологичной электроники, фотоэлектрических и солнечных элементов и других применений.

Однако, поскольку метод VGF требует более точной системы температурного контроля, стоимость оборудования выше. В частности, оборудование должно обладать высоким уровнем технологии с точки зрения контроля градиента температуры и скорости охлаждения расплава. Кроме того, метод VGF обычно имеет более низкую скорость роста, чем метод прямой вытяжки, поэтому весь процесс роста занимает больше времени. Это может быть не так эффективно, как другие методы (например, метод Чохральского) с точки зрения эффективности производства, особенно когда требуется крупносерийное производство. Хотя метод VGF подходит для получения высокочистых материалов, он предъявляет высокие требования к физическим свойствам, таким как температура плавления и теплопроводность материалов, и поэтому применим не ко всем материалам, особенно к материалам с высокой температурой плавления или плохой теплопроводностью.

Рис. 3 Схематическая диаграмма метода VGF

4 Области применения германия

1. Высокоскоростная электроника: Высокая подвижность электронов германия (примерно в два раза выше, чем у кремния) делает его очень перспективным для использования в высокочастотной, высокоскоростной электронике. Особенно в микроэлектронных устройствах, где требуется высокоскоростное переключение, германий помогает повысить скорость работы и эффективность. Поскольку германий имеет более низкую энергетическую полосу пропускания и более высокую подвижность носителей, он может обеспечить лучшую производительность в высокочастотных приложениях. Это привело к использованию германия в таких приложениях, как беспроводная связь, радиочастотные (РЧ) усилители и усилители СВЧ.

Рис. 4 Германиевый чип

2. Инфракрасные оптические материалы: Германий обладает отличным пропусканием в среднем инфракрасном диапазоне (2-12 мкм), что делает его идеальным материалом для инфракрасных детекторов и систем визуализации. Например, германий широко используется в таких устройствах, как инфракрасные датчики и инфракрасные камеры, особенно в военной промышленности, системах безопасности и мониторинга климата. Малая полосовая щель германия (около 0,66 эВ) позволяет ему эффективно реагировать на инфракрасное излучение при комнатной температуре. По сравнению с кремнием германий имеет более чувствительный отклик в длинноволновой инфракрасной области, что делает его более широко используемым в таких приложениях, как инфракрасные детекторы и системы инфракрасной визуализации.

3. Оптоволоконная связь: Германий часто легируется в оптические волокна, особенно в легированные германием SiO₂ (Ge-doped SiO₂) волокна, для улучшения характеристик оптических волокон. Оптические волокна, легированные германием, имеют более высокий коэффициент преломления и могут передавать оптические сигналы более эффективно. Поэтому германиевые материалы широко используются в волоконно-оптической связи в качестве материала сердцевины и среды усиления. В устройствах фотоэлектрического преобразования германий также используется в качестве эффективного материала для фотоэлектрического преобразования. Благодаря отличной инфракрасной чувствительности германий используется в солнечных батареях и других фотодетекторах.

4. Интегральные схемы (ИС) и транзисторы: С развитием кремниевой технологии сплавы германия и кремния (например, сплавы SiGe) широко используются в интегральных схемах. Технология SiGe обеспечивает более высокую подвижность электронов и низкое энергопотребление для высокоскоростных и высокочастотных приложений, таких как микропроцессоры и радиочастотные интегральные схемы. В высокопроизводительных интегральных схемах (например, высокоскоростных транзисторах), особенно в области квантовых эффектов и нанотехнологий, германий используется в качестве высокоподвижного материала для повышения производительности устройств. Встраивание германия в кремниевые подложки позволяет значительно повысить производительность транзисторов, особенно в микрометровом и даже нанометровом масштабе.

5. Полупроводниковые лазеры (ПЛ): Германиевые материалы используются при изготовлении полупроводниковых лазеров, особенно в ближней инфракрасной (NIR) области. Германий имеет малую зону пропускания и способен проявлять оптоэлектронные свойства, отличные от свойств кремниевых материалов, что делает его пригодным для создания полупроводниковых лазеров с низким энергопотреблением и высоким КПД. Структура германий-кремний является одной из горячих точек современных исследований, а сочетание германия и кремния может помочь в разработке лазеров на основе кремния для оптической связи, оптических межсоединений и других приложений.

6. Солнечные элементы (фотоэлектрические технологии): германий подходит для использования в качестве подложки в фотоэлектрических материалах благодаря своей низкой полосовой щели (0,66 эВ) и обычно сочетается с другими материалами (например, кремнием) для создания многопереходных солнечных элементов. Применение германия в многопереходных солнечных элементах позволяет эффективно поглощать более широкий диапазон спектров и повышать эффективность преобразования солнечных элементов, что имеет большой потенциал, особенно в космических спутниках и высокоэффективных солнечных приложениях. Германий широко используется в космических солнечных батареях и высокоэффективных фотоэлектрических устройствах в аэрокосмической отрасли благодаря своей стабильной эффективности фотоэлектрического преобразования.

Рис. 5 Солнечная панель

7. Приборы с зарядовой связью (ПЗС): Германиевые материалы также широко используются в датчиках с зарядовой связью (ПЗС), которые применяются в таких областях, как съемка изображений, видеография и микроскопия. Высокая подвижность электронов и отличные электрические свойства германия позволяют ему обеспечивать лучшие возможности обнаружения в условиях низкой освещенности.

8. Лазерный радар (LiDAR): Германиевые материалы также находят применение в лазерных радарах (LiDAR), особенно в системах высокоточной дальнометрии, сканирования окружающей среды и автономного вождения. Высокая чувствительность германия делает его превосходным в коротковолновом инфракрасном спектральном диапазоне, что делает его идеальным материалом для эффективного лазерного обнаружения.

9. Квантовые вычисления и квантовые технологии: Германиевые материалы имеют потенциал в квантовых вычислениях, особенно при создании квантовых битов. Благодаря его совместимости с кремнием ученые рассматривают возможность использования германия для разработки квантовых вычислительных систем на основе кремния, чтобы создать более мощные квантовые компьютеры. Германий также изучается для использования в квантовых датчиках и квантовых коммуникациях, где можно создать более эффективные устройства квантового зондирования, используя его хорошие электрические свойства и низкий уровень дефектов.

Рис. 6 Германий для квантовых компьютеров

5 Преимущества и ограничения германия

5.1 Преимущества германия

1. Высокая подвижность электронов: Подвижность электронов - это важная мера способности электронов перемещаться через полупроводниковый материал, и германий обладает более высокой подвижностью электронов, чем кремний (Si), примерно в два раза выше, чем Si (около 3900 см²/В-с). Это означает, что германий превосходит кремний в высокоскоростной электронике, например в высокоскоростных транзисторах, обеспечивая более высокую скорость переключения и меньшее энергопотребление.

Высокая подвижность дает германию преимущество в высокочастотной (RF) и высокоскоростной связи, обеспечивая более эффективную передачу сигналов.

2. Низкая полоса пропускания (0,66 эВ): Германий имеет малую полосу пропускания (0,66 эВ), что позволяет ему демонстрировать высокую проводимость при низких температурах и низкой энергии. Эта характеристика делает германий очень подходящим для инфракрасных оптоэлектронных устройств (например, инфракрасных детекторов, волоконно-оптических коммуникаций и т. д.).

Низкая полоса пропускания также дает германию преимущество в некоторых высокоэффективных устройствах фотоэлектрического преобразования (например, солнечных элементах), особенно в нижнем слое многопереходных солнечных элементов, где он может эффективно поглощать длинноволновые спектры.

3. Высокий коэффициент пропускания (инфракрасный спектр): Германий обладает очень высоким коэффициентом пропускания света (2-12 мкм) в средней инфракрасной области, что делает его идеальным материалом для инфракрасной визуализации, инфракрасных детекторов и других областей. В этих приложениях германий позволяет повысить чувствительность и точность устройств.

Рис. 7 Инфракрасное германиевое стекло

Благодаря этому германий играет важную роль в инфракрасных датчиках для военного обнаружения, мониторинга климата, безопасности и других областей.

4. Хорошая совместимость с кремнием: Германий имеет хорошую кристаллическую структуру, которая соответствует кремнию и может образовывать сплавы (например, сплавы SiGe), что позволяет в полной мере использовать преимущества кремния и германия. Например, сплавы SiGe, используемые в интегральных схемах (ИС), позволяют значительно повысить производительность высокоскоростных ИС.

Совместимость германия и кремния позволяет интегрировать германий в электронику на основе кремния, особенно в высокочастотные и высокоскоростные устройства.

5. Подходит для высокоэффективных солнечных батарей: Благодаря своей малой полосе пропускания германий может эффективно поглощать длинноволновую часть спектра, особенно в качестве материала нижнего слоя в многопереходных солнечных элементах, повышая эффективность фотоэлектрического преобразования солнечных элементов. Высокая эффективность германия позволяет широко использовать его в солнечных батареях космического назначения.

6. Потенциал в квантовых вычислениях: Низкодефектные свойства германиевых материалов делают их потенциально полезными в квантовых вычислениях, особенно при создании квантовых битов (кубитов). Совместимость германия с кремнием делает его идеальным строительным материалом для интегрированных квантовых битов в квантовых вычислениях, что особенно важно для исследований в области кремниевых квантовых вычислений.

5.2 Ограничения германия

1. Низкая теплопроводность: Теплопроводность германия (около 60 Вт/м-К) намного ниже, чем у кремния (около 150 Вт/м-К). Это означает, что в полупроводниковых устройствах с высокой плотностью мощности германий плохо отводит тепло, что может легко привести к его накоплению, а значит, повлиять на стабильность и долгосрочную надежность устройства.

Деградация характеристик при высоких температурах и проблема отвода тепла являются основными ограничивающими факторами для германиевых материалов в мощных приложениях.

2. Высокая цена: Стоимость сырья и производства германия выше, тем более что процесс получения высокочистого германия сложен и требует сложного процесса выращивания кристаллов. В результате производство германия обходится дороже, чем кремния, что затрудняет его широкое применение в некоторых чувствительных к стоимости приложениях.

Несмотря на преимущества германия в высокотехнологичных приложениях, его высокая стоимость ограничивает распространение широкомасштабных коммерческих приложений, особенно в некоторых областях бытовой электроники, где требуется низкая стоимость.

3. Технология роста и качество кристаллов: рост монокристаллов германия более сложен, особенно при подготовке высококачественных монокристаллов германия большого размера, требуется высокоточная технология управления ростом, такая как метод прямого вытягивания (метод Чохральского), метод вертикального градиента (метод VGF) и т.д. Производство и применение кристаллов германия несколько ограничено из-за сложности и дороговизны этих методов.

В кристаллической структуре германия могут присутствовать дислокации, дефекты или примеси, что негативно сказывается на его применении в высокоэффективных электронных устройствах.

4. Ограниченные масштабы промышленного производства: Несмотря на то, что германий хорошо зарекомендовал себя в высокопроизводительных устройствах, текущие масштабы производства и инвестиции в оборудование для производства германия все еще несопоставимы с кремнием. Цепочка поставок германиевых материалов не столь развита и обширна, как у кремния, что ограничивает его популярность в некоторых крупномасштабных приложениях, особенно в бытовой электронике и недорогих устройствах.

6 Заключение

Германий обладает значительными преимуществами в тех областях, где необходимы высокоскоростная электроника, инфракрасная чувствительность и оптоэлектронные возможности. Его превосходная подвижность электронов, низкая полоса пропускания и совместимость с кремнием делают его идеальным для высокопроизводительных приложений в системах связи, инфракрасной визуализации и энергоэффективных солнечных батареях. Однако применение германия сдерживается рядом ограничений, включая его низкую теплопроводность, более высокую стоимость производства и трудности крупномасштабного производства. Несмотря на эти препятствия, германий остается важнейшим материалом в передовой электронике, особенно в нишевых приложениях, требующих высокой точности и производительности. Продолжающиеся инновации в области технологий производства германия и его интеграции с кремниевыми технологиями могут расширить его роль в таких развивающихся областях, как квантовые вычисления и оптоэлектроника нового поколения.

Stanford Advanced Materials (SAM) является ключевым поставщиком высококачественных германиевых материалов, поддерживая эти критически важные приложения надежными материальными решениями.

Связанное чтение

Германий

Германий - информация об элементах, свойствах и применении

Метод Чохральского